Транзисторы состоят из нескольких слоев, которые распыляют на поверхность подложки. Современная электроника стремится к тому, чтобы уменьшить размер полупроводников: это позволит создавать тонкие, гибкие и легкие устройства.
Минимальный размер слоя — 1 атом, меньше нельзя, ведь атом — мельчайшая единица любого вещества. Существующая технология позволяет наносить одноатомный слой на подложку не больше 50 мм в диаметре. Группа ученых из Пекинского университета разработала способ создания одноатомных слоев на самых популярных 300-миллметровых пластинах.
Технология основана на контактном переносе пленки полупроводника с поверхности на поверхность. Активный материал (тот, который выращивает слой полупроводника), соприкасается с подложкой по всей ее площади, поэтому пленка начинает расти сразу по всей пластине. Технология позволяет выращивать пленки из разных материалов, включая графен, который называют наиболее перспективной заменой оксида кремния в полупроводниках.
Исследователи уже разработали технологию выращивания атомарных пленок в промышленных масштабах. Они считают, что смогут производить до 10 тыс. 300-миллиметровых подложек в год.
Впрочем, подобные атомарные структуры, которые еще называют 2D-материалы, пока что являются лишь объектами исследований. Их использование в транзисторах и других устройствах — вопрос завтрашнего дня. Однако ее внедрение позволит совершить прорыв в индустрии электроники.
О том, как были изобретены транзисторы и как развивалась эта технология, читайте в цикле статей «75 лет транзистору».
